隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，其芯片的特征尺寸變得越來(lái)越小，器件的結(jié)構(gòu)越來(lái)越復(fù)雜，與之相應(yīng)的芯片工藝診斷、失效分析、器件微細(xì)加工也變得越來(lái)越困難，傳統(tǒng)的分析手段已經(jīng)難以滿(mǎn)足集成電路器件向深亞微米級(jí)、納米級(jí)技術(shù)發(fā)展的需要。
元器件開(kāi)蓋，開(kāi)帽原理主要是通過(guò)使用化學(xué)方法或者物理方法將元器件表面的封裝去除，觀察元器件內(nèi)部的引線連接情況。在對(duì)IC封裝芯片進(jìn)行失效分析時(shí)，由于芯片表面包覆有膠體，因此通常要進(jìn)行芯片開(kāi)蓋處理。目前，芯片開(kāi)蓋處理是利用化學(xué)藥劑將覆蓋在芯片外部的膠體腐蝕掉的一道工序，其目的在于使內(nèi)部芯片暴露在空氣中，以方便肉眼觀察和分析。芯片解密涉及到哪些技術(shù)呢？
1、探針技術(shù)，是用探針在直接暴露的芯片內(nèi)部連線，使用物理連接的方法，連接到外部，并合用邏輯分析儀等工具，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行采集，分析，以實(shí)現(xiàn)debug的一種技術(shù)手段。將芯片裸片固定在高倍率顯微鏡下，使用一種進(jìn)口的極細(xì)探針（細(xì)到1個(gè)um以下的量級(jí)），將探針可以連接到芯片內(nèi)部任何地方，然后對(duì)芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析。
2、FIB，F(xiàn)IB技術(shù)的出現(xiàn)實(shí)現(xiàn)了超大規(guī)模集成電路在失效分析對(duì)失效部位的精密定位，是大規(guī)模集成電路失效分析的基礎(chǔ)。FIB技術(shù)可以在SEM高分辨率的清晰圖像下，使用離子束刻蝕，可以非常精確地在器件特定微區(qū)制作剖面，而且FIB對(duì)所加工的樣品材料沒(méi)有限制，還可以邊刻蝕邊利用SEM及時(shí)觀察進(jìn)展情況，使得加工的剖面具有極高的定位精度，由于整個(gè)過(guò)程樣品受到的應(yīng)力很小，所以，剖面具有很好的完整性。FIB都必須搭配其他失效分析工具來(lái)完成分析的工作，比如掃描式電子顯微鏡、透射式電子顯微鏡、能量分散譜儀、光發(fā)射顯微鏡等等。
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