材料分析
芯片電路修改/點針墊偵錯
描述： 聚焦式離子束顯微鏡(Focus Ion Beam)，簡稱FIB)電路修改，原理是利用鎵離子撞擊樣品表面，搭配有機氣體進行有效的選擇性蝕刻(切斷電路)、沉積導(dǎo)體或非導(dǎo)體(新接電路)。
電路修改(FIB circuit) 通過聚焦式離子束顯微鏡(Focus Ion Beam)，即可提供芯片設(shè)計者直接修改芯片電路，無需重復(fù)改光罩重新投片，不僅可降低經(jīng)費，更可加速芯片設(shè)計原型(Prototype)的驗證與量產(chǎn)上市時間(Time-to-market)。
點針墊偵錯 (CAD Probe Pad) 在芯片上做信號擷取點，通過FIB將芯片設(shè)計者欲量測的信號點引出到芯片表面，并利用機械式探針(Mechanical Prober) 擷取芯片內(nèi)部信號。
晶背電路修改 隨著覆晶封裝基材限制，與先進制程演持續(xù)進到7nm，金屬繞線層增加以及更為復(fù)雜緊密的電路布局，從晶背(Silicon)進行電路修改提升可行性與成功率。
應(yīng)用范圍：
可達4.5nm分辨率，可執(zhí)行16/14/10nm制程之線路修補；
最大可放置8吋晶圓；
支持 Knights Merlin CAD Navigation 軟件；
高準(zhǔn)確度雷射導(dǎo)引Stage；
內(nèi)建紅外線IR顯微鏡可觀察CMP層及絕緣硅層；
金屬聯(lián)機材質(zhì)有鎢(阻值較低)及白金(速度較快)兩種選擇；
建置FEI DE/DX蝕刻氣體，應(yīng)用于高深寬比、緊密電路。
檢測圖片：
芯片正面施作修改：
FIB點針墊偵錯：
復(fù)雜電路施工：
利用FIB在芯片內(nèi)部加電阻：
晶背電路修改：
檢測設(shè)備能量：
提升電路修改良率建議：
去封膠、打線或封裝后，先回測再進行FIB；
同一顆芯片上執(zhí)行越多的修改內(nèi)容，F(xiàn)ail風(fēng)險會越高；
FIB聯(lián)機的阻值較原芯片聯(lián)機要高，若有低電阻聯(lián)機過高電流需求，需先注明；
提供GDS II以利定位(局部區(qū)域或?qū)訑?shù)即可)作業(yè)，有助良率提升。
