檢測標(biāo)準(zhǔn)
GJB 548標(biāo)準(zhǔn)
GJB548 是什么
GJB548《微電子器件試驗(yàn)方案和程序》規(guī)定了軍用微電子器件的氣候環(huán)境試驗(yàn)、機(jī)械環(huán)境試驗(yàn)、電學(xué)試驗(yàn)和檢驗(yàn)程序，以及為保證微電子器件滿足預(yù)定用途所要求的質(zhì)量和可靠性而必須的控制措施和限制條件。標(biāo)準(zhǔn)適用于軍用微電子器件，是我國當(dāng)今最完善、最成熟的軍用電子元器件質(zhì)量與可靠性的檢測標(biāo)準(zhǔn)。
GJB548 是大量電子元器件應(yīng)用實(shí)踐的經(jīng)驗(yàn)與現(xiàn)代科學(xué)相結(jié)合的產(chǎn)物。GJB548 中的方法是對(duì)電子元器件在使用過程中大量出現(xiàn)的失效模式進(jìn)行機(jī)理分析，并將這些失效機(jī)理對(duì)應(yīng)的元器件的材料、結(jié)構(gòu)缺陷和隱患與現(xiàn)代檢測技術(shù)相結(jié)合形成的，所以這些方法針對(duì)性很強(qiáng)，有很好的實(shí)踐性與科學(xué)性。
GJB548C 參與制定單位
工業(yè)和信息化部電子第四研究院、北京航空航天大學(xué)、中國電子科技集團(tuán)公司第二十四研究所、中國電子科技集團(tuán)公司第四十三研究所、中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所、中國航天科技集團(tuán)有限公司第九研究院第七七一研究所、中國航天科技集團(tuán)有限公司第九研究院第七七二研究所、濟(jì)南市半導(dǎo)體元件實(shí)驗(yàn)所。
GJB548C 修訂情況
GJB548C 試驗(yàn)項(xiàng)目一共 78 項(xiàng)（其中 74 項(xiàng)原有，新增 4 項(xiàng)）
氣候環(huán)境試驗(yàn)：1000 系列-28 項(xiàng)
機(jī)械環(huán)境試驗(yàn)：2000 系列-35 項(xiàng)
電學(xué)試驗(yàn)：3000 系列-2 項(xiàng)
檢驗(yàn)程序：5000 系列-13 項(xiàng)
原有的 74 項(xiàng)試驗(yàn)方法里未改動(dòng)的有 42 項(xiàng)，有修改的32 項(xiàng)。
增加的 4 項(xiàng)試驗(yàn)方法有：方法 2036 耐焊接熱、方法 2037 鉛錫焊料成分分析-X 射線熒光檢測、方法 2038 焊柱陣列封裝的破壞性引線拉力和方法 3023 集成電路鎖定。
GJB548C 主要變化
1. 正文
（1）更新并增加了引用文件；
（2）增加了失效模式、失效機(jī)理、標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)等術(shù)語定義；
（3）增加了電測試應(yīng)在最壞電源電壓條件下進(jìn)行的要求；
（4）細(xì)化了電測試溫度控制要求(尤其對(duì)于混合電路)。
2. 方法1012.1 熱性能
（1）基于當(dāng)前紅外熱像設(shè)備大多已具備輻射率修正能力，將涂漆要求改為可選操作；
（2）增加了涂層材料對(duì)峰值結(jié)溫的影響說明。
3. 方法1014.3 密封
（1）增加了 A5 試驗(yàn)條件；
（2）提高了宇航級(jí)混合集成電路器件漏率失效判據(jù)；
（3）細(xì)化了氨質(zhì)譜檢漏法固定方法的內(nèi)腔容積分段；
（4）增加了累積氦質(zhì)譜檢漏法；
（5）細(xì)化了光學(xué)檢漏法有關(guān)要求。
4. 方法1017.1 中子輻射
（1）增加了部分術(shù)語定義；
（2）細(xì)化了輻射源要求，增加了電離總劑量限制指標(biāo)。
5.方法1018.2 內(nèi)部氣體成分分析
（1）刪除了程序2 和程序33；
（2）細(xì)化了質(zhì)譜儀的校準(zhǔn)要求；
（3）增加了真空箱和傳遞通道的描述；
（4）增加了實(shí)驗(yàn)室應(yīng)提供對(duì)未知或已存在但未達(dá)到識(shí)別濃度的氣體質(zhì)譜描述說明的規(guī)定；
（5）增加了實(shí)驗(yàn)室無權(quán)判定器件合格或不合格的規(guī)定。
6.方法 1019.3電離輻射(總劑量)
（1）增加了部分術(shù)語定義；
（2）增加了低溫輻射試驗(yàn)規(guī)定；
（3）增加了使用干冰保存樣品的規(guī)定；
（4）增加了低劑量率增強(qiáng)效應(yīng)(ELDRS)的判定試驗(yàn)表征試驗(yàn)。
7.方法 1020.2 劑量率感應(yīng)鎖定
劑量測量系統(tǒng)中增加了閃爍探測器和康普頓二極管。
8.方法1034.1 染料滲透
（1）增加了試驗(yàn)設(shè)備，并細(xì)化了規(guī)格參數(shù)；
（2）修改了浸滲劑粘度；
（3）增加了正常明視場條件下的剖面拍照要求。
9.方法 2003.2 可焊性
（1）增加了部分術(shù)語定義；
（2）增加了材料和設(shè)備；
（3）對(duì)蒸汽老化作了分類編寫；
（4）對(duì)試驗(yàn)條件作了分類編寫；
（5）增加了附錄 A 和附錄B；
（6）除了可焊性評(píng)價(jià)準(zhǔn)則表。
10.方法 2004.3引線牢固性
（1）增加了部分術(shù)語定義；
（2）增加了試驗(yàn)條件 A1 引線釬焊牢固性和試驗(yàn)條件E 引線鍍層牢固性；
（3）修改了剛性引線試驗(yàn)程序；
（4）彎曲應(yīng)力試驗(yàn)和引線疲勞試驗(yàn)增加了翼型引線和 J 形引線試驗(yàn)程序。
11. 方法2005.1 振動(dòng)疲勞
增加了峰值加速度與振幅和頻率的計(jì)算關(guān)系。
12.方法 2009.2 外部目檢
（1）增加了焊球/焊柱陣列引出端缺陷判據(jù)；
（2）增加了玻璃填充底座封裝的玻璃密封處開口泡的缺陷判據(jù)。
13.方法 2010.2 內(nèi)部目檢(單片電路)
（1）增加了受控環(huán)境(潔凈室)要求；
（2）修改了 S 級(jí)金屬化層跨接的擠出金屬缺陷判據(jù)。
14.方法 2011.2 鍵合強(qiáng)度
（1）增加了引線鍵合點(diǎn)剪切試驗(yàn);
（2）增加了拉力鉤放置位置示意圖。
15.方法 2012.2X 射線檢查
（1）增加了實(shí)時(shí)成像 X射線檢查的設(shè)備和程序要求
（2）增加了有缺陷密封判據(jù)的示意圖。
16.方法 2015.2 耐溶劑性
修改了刷樣品時(shí)的手壓力。
17.方法 2017.2 內(nèi)部目檢(混合電路)
（1）刪除了一般要求；
（2）在檢查中增加了附加檢查的規(guī)定；
（3）鍵合檢查通用要求增加了 H 級(jí)和K 級(jí)的擠出金屬缺陷判據(jù)。
18.方法 2018.2 掃描電子顯微鏡(SEM)檢查
（1）增加了對(duì)于化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）等平坦化工藝不需要 SEM檢查的要求；
（2）增加了采用芯片或已封裝器件的抽樣方案；
（3）增加了阻擋層/附著層不需要查的情況；
（4）修改了鈍化層臺(tái)階放大倍數(shù)范圍。
19. 方法 2019.3 芯片切強(qiáng)度
（1）增加了部分術(shù)語定義；
（2）修改了失效判據(jù)和分離模式。
20. 方法 2020.2 粒子碰撞噪聲檢測
（1）降低了預(yù)置值峰值；
（2）增加了設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)采集與分析可選功能；
（3）增加了不允許試驗(yàn)大型器件的規(guī)定；
（4）增加了器件放置位置范圍要求；
（5）增加了試驗(yàn)頻的計(jì)算公式；
（6）修改了腔高和頻率典型對(duì)應(yīng)值。
21. 方法 2023.3 非破壞性鍵合拉力
增加了拉力鉤放置位置示意圖。
22. 方法 2030.1 芯片粘接的超聲檢測
增加了圖例及反射/透射模式對(duì)照?qǐng)D。
23. 方法 2032.1 無源元件的目檢
（1）在檢查中增加了附加檢查的規(guī)定；
（2）細(xì)化了判據(jù)格式說明；
（3）修改了薄膜元件檢查中的金屬化劃傷判據(jù)；
（4）修改了平面厚膜元件檢查中的金屬化劃傷判據(jù)；
（5）修改了平面厚膜元件檢查中的金屬化空洞判據(jù)；
（6）修改了平面厚膜元件檢查中的厚膜電阻缺陷判據(jù)；
（7）修改了聲表面波元件檢查中的基板材料缺陷判據(jù)；
（8）修改了聲表面波元件檢查中的多余物缺陷判據(jù)；
（9）修正了部分?jǐn)?shù)據(jù)換算錯(cuò)誤。
24. 方法 2036 耐焊接熱
新增試驗(yàn)方法。
25. 方法 2037 鉛錫焊料成分分析-X 射線光檢測
新增試驗(yàn)方法。
26. 方法 2038 焊柱陣列封裝的破壞性引線拉力
新增試驗(yàn)方法。
27. 方法 3015.1 靜電敏感度的分級(jí)
（1）修改了交換引出端以獲得極性相反波形的規(guī)定；
（2）增加了空腳引出端的試驗(yàn)要求；
（3）細(xì)化了同名電源引出端的分組規(guī)定；
（4）增加了可以放置旁路電阻來消除脈沖前電壓的選擇；
（5）增加了放電結(jié)束后可以將所有引線同時(shí)接地的選擇。
28. 方法 3023 集成電路鎖定
新增試驗(yàn)方法。
29. 方法 5004.3 篩選程序
增加了附錄 A。
30. 方法 5005.3 鑒定檢驗(yàn)和質(zhì)量一致性檢驗(yàn)程序
（1）B 級(jí) B 組檢驗(yàn)增加了芯片剪切或芯片粘接強(qiáng)度試驗(yàn)；
（2）D 組檢驗(yàn)增加了耐接熱分組；
（3）E 組檢驗(yàn)增加了單粒子效應(yīng)分組；
（4）增加了部分注釋。
31. 方法 5007.2 品圓批驗(yàn)收
（1）增加了金屬化層厚度和鈍化層厚度按 GJB 597B-2012 執(zhí)行的規(guī)定；
（2）增加了 GaAs、GaN 工藝晶圓厚度要求。
32. 方法 5009.1 破壞性物理分析
該方法內(nèi)容已被 GJB4027 工作項(xiàng)目 1100 所代替。
33. 方法 5010.3 復(fù)雜單片微電路檢驗(yàn)程序
E 組檢驗(yàn)增加了瞬態(tài)電離輻射、輻射鎖定和單粒子效應(yīng)分組。
34. 方法 5013.1 GaAs 工藝的晶圓制造控制和接收程序
（1）修改了工藝監(jiān)測圖形(PM)；
（2）增加了 PM 合格率和 PM 設(shè)置要求。
