相信從事電子業(yè)的朋友都聽說過所謂的“美軍標(biāo)”，沒錯(cuò)，它的原名叫做《微電子器件試驗(yàn)方法和程序》（MIL-STD-883），從1968年問世以來，美軍標(biāo)不斷發(fā)展和完善，被公認(rèn)為全球微電子器件質(zhì)量監(jiān)管的領(lǐng)先體系。

美軍標(biāo)囊括了一系列試驗(yàn)方法，涉及微電子器件的來料檢驗(yàn)和控制、設(shè)計(jì)檢驗(yàn)和控制、工藝檢驗(yàn)和控制、篩選、鑒定和質(zhì)量一致性檢驗(yàn)等各個(gè)方面。該標(biāo)準(zhǔn)最早應(yīng)用于軍用器件，但由于其測(cè)試內(nèi)容全面細(xì)致，并緊密貼合微電子器件的實(shí)際應(yīng)用，后來也被民用領(lǐng)域采納。不僅如此，世界各國(guó)高可靠微電子器件的試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)無不以美軍標(biāo)為藍(lán)本，例如我國(guó)的GJB548A-96就是以1991年MIL-STD-883的D版為藍(lán)本所制定。

背景信息介紹了這么多，那么美軍標(biāo)實(shí)際用于測(cè)試的流程是怎樣的呢？我們將以客戶提供的一枚SN74LVC1G08DBVR為實(shí)例，給大家分享下美軍標(biāo)測(cè)試的流程。

通過查閱官網(wǎng)規(guī)格書可知，SN74LVC1G08DBVR屬于單路雙輸入正與門芯片，工作電壓范圍在1.65V至5.5V。

一般的邏輯門芯片，主要參數(shù)為輸入高/低電平電流、輸入高/低電平電壓，輸出高/低電平電壓、電源電流以及相關(guān)的時(shí)間參數(shù)等。美軍標(biāo)最新版本MIL-STD-883L中對(duì)以上部分參數(shù)測(cè)試方法都有說明，但由于篇幅有限，今天我們主要分享輸出高/低電壓參數(shù)的測(cè)試方法。

美軍標(biāo)MIL-STD-883L METHOD 3006.1輸出高電平電壓參數(shù)測(cè)試方法如下：

以上內(nèi)容可概括如下：

1. 說明建立此標(biāo)準(zhǔn)的目的及可適用微電子元器件的類型。

2. 測(cè)試設(shè)備及試驗(yàn)溫度適應(yīng)性要求。

3. 測(cè)試過程應(yīng)在最壞的條件（最壞情況的電源電壓和最壞情況的輸入水平）下進(jìn)行測(cè)試。

4. 報(bào)告內(nèi)容應(yīng)包含測(cè)試溫度、輸入/輸出電流、電源電壓、輸入電壓、輸出電壓最小/最大值等。

綜上可知，美軍標(biāo)對(duì)輸出高電平電壓參數(shù)的測(cè)試方法僅對(duì)測(cè)試設(shè)備及測(cè)試條件作出適應(yīng)性要求，并要求在極限條件下測(cè)試。至于具體的測(cè)試條件，還要參照元器件規(guī)格書的要求。

搭建如下測(cè)試電路：

測(cè)試步驟：

1. 將被測(cè)集成電路（芯片）按規(guī)定接到測(cè)試電路中。

2. 對(duì)測(cè)試電路施加最極限的電源電壓和輸入電壓（包括保證的噪聲容限）。

3. 強(qiáng)制電流（等于電路最壞情況下的高電平扇出）施加到測(cè)試電路輸出端子。

4. 溫度調(diào)整到規(guī)定值,并在測(cè)試前后立即檢査。

5. 測(cè)試輸出端電壓。

備注：每次輸入條件確定后，進(jìn)行輸出測(cè)量。

從官網(wǎng)提供的規(guī)格書可知，輸出高電平電壓（VOH）參數(shù)在不同的電源條件、電流條件及溫度條件下的參數(shù)要求范圍是不一樣的?，F(xiàn)在用功能測(cè)試機(jī)臺(tái)TR6850在常溫（25℃）下測(cè)試當(dāng)電源電壓為某一值，按規(guī)格書要求在輸入端（A端和B端）施加極限值電壓信號(hào)，并在輸出端（Y端）施加對(duì)應(yīng)的電流值，測(cè)試其輸出高電平電壓（VOH）是否符合規(guī)格書要求。

規(guī)格書參數(shù)要求如下：

按照規(guī)格書要求設(shè)定測(cè)試條件；

-VOH = 1.55V Min @ VCC = 1.65V, IOH = -100μA, VIH(A&B) = 1.0725V

-VOH = 5.40V Min @ VCC = 5.5V, IOH = -100μA, VIH(A&B) = 3.85V

-VOH =1.2V Min @ VCC = 1.65V, IOH = -4mA, VIH(A&B) = 1.0725V

-VOH = 1.9V Min @ VCC = 2.3V, IOH = -8mA, VIH(A&B) = 1.7V

-VOH = 2.4V Min @ VCC = 3V, IOH = -16mA, VIH(A&B) = 2V

-VOH = 2.3V Min @ VCC = 3V, IOH = -24mA, VIH(A&B) = 2V

-VOH = 3.8V Min @ VCC = 4.5V, IOH = -32mA, VIH(A&B) = 3.15V

編寫測(cè)試程序，完成調(diào)試，測(cè)試界面如下：

測(cè)試結(jié)果如下：

從測(cè)試結(jié)果圖片可以看到，輸出高電平電壓（VOH）均符合規(guī)格書要求，因此這枚SN74LVC1G08DBVR的VOH在美軍標(biāo)測(cè)試之下屬于合格。

分享到這里相信大家對(duì)如何用美軍標(biāo)測(cè)試芯片功能參數(shù)已經(jīng)有了初步的了解，那么輸出低電平電壓（VOL）又該如何測(cè)試？其實(shí)測(cè)試方法跟輸出高電平電壓（VOH）大同小異，在這里也就不占用篇幅過多敘述，對(duì)此感興趣的小伙伴可以關(guān)注創(chuàng)芯檢測(cè)公眾號(hào)，我們還將分享更多元器件測(cè)試的案例。

創(chuàng)芯在線檢測(cè)中心作為專業(yè)檢測(cè)機(jī)構(gòu)，不僅支持美軍標(biāo)最新版本的檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)，還支持AS681標(biāo)準(zhǔn)以及IDEA-STD-1010-B標(biāo)準(zhǔn)等國(guó)際檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)，檢測(cè)項(xiàng)目涵蓋外觀測(cè)試、電特性測(cè)試、可焊性測(cè)試、X-ray測(cè)試以及ROHS測(cè)試等十幾個(gè)檢測(cè)項(xiàng)目。同時(shí)，為滿足更多檢測(cè)需求，我們還在不斷擴(kuò)展更多測(cè)試項(xiàng)目以及擴(kuò)建更大的專業(yè)實(shí)驗(yàn)室，歡迎大家積極咨和送檢！

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