電特性檢測(cè)報(bào)告:KSZ8873MLLI測(cè)試
日期：2021-08-19 13:05:27 瀏覽量：4715 作者：創(chuàng)芯在線檢測(cè)中心
型號(hào) ：KSZ8873MLLI
器件品牌 ：Microchip
器件封裝 ：64-lead LQFP
樣品數(shù)量 ：5 片
檢測(cè)數(shù)量 ：5 片
收樣日期 ：2021/08/11
測(cè)試日期 ：2021/08/16 13:30 - 2021/08/16 17:40
測(cè)試項(xiàng)目：
電特性測(cè)試、高低溫試驗(yàn)
測(cè)試方法及測(cè)試設(shè)備
1.1 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：
MIL-STD-883L-2019 ?
GJB 128A-1997
1.2 恒溫箱
設(shè)備規(guī)格: JW-2001
1.3 功能測(cè)試設(shè)備
半導(dǎo)體管特性圖示儀 XJ4822：
用示波管顯示半導(dǎo)體器件各種特性曲線，并測(cè)量其靜態(tài)參數(shù)，用于測(cè)量晶體管，二極管，MOSFET 和其他半導(dǎo)體器件。 最大集電極電壓高達(dá)3KV（可選） 步進(jìn)電壓±10V +△VB ±5V，內(nèi)部電阻低，特別適用于測(cè)試大功率VMOS器件。
1.4 檢測(cè)環(huán)境
環(huán)境溫度: 25±5℃
環(huán)境相對(duì)濕度: 45%-65%RH
1.5 檢測(cè)依據(jù)
《Microchip KSZ8873MLL》: https://www.semiee.com/file/Microchip/Microchip-KSZ8873.pdf
電特性測(cè)試：
高低溫試驗(yàn)：
測(cè)試步驟：
1、常溫測(cè)試電特性是否合格；
2、150 度高溫持續(xù)一小時(shí)，取出后測(cè)試電特性是否合格；
3、-55 度低溫放置一小時(shí)，取出后測(cè)試電特性是否合格；
1.芯片描述
高級(jí)開關(guān)功能 綜合配置寄存器 支持優(yōu)先 QoS/CoS 數(shù)據(jù)包 每個(gè)端口，802.1p 和基于 DiffServ 經(jīng)過驗(yàn)證的集成 3 端口 10/100 以太網(wǎng)交換機(jī) 開關(guān)監(jiān)測(cè)功能 低功耗
2.封裝尺寸
3.來料信息
4.高低溫試驗(yàn)
測(cè)試步驟：
1、常溫測(cè)試電特性是否合格；
2、150 度高溫持續(xù)一小時(shí)，取出后測(cè)試電特性是否合格；
3、-55 度低溫持續(xù)一小時(shí)，取出后測(cè)試電特性是否合格；
高低溫試驗(yàn)程序設(shè)定如下：
5.電特性測(cè)試
依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)：GJB 128A-1997
使用半導(dǎo)體管特性圖示儀驗(yàn)證芯片管腳電特性曲線，通過開路/短路測(cè)試檢查芯片是否損壞。
電特性測(cè)試結(jié)論：
